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チップインダクタをNanoVNAで測ってみる

最近入手したSMDのインダクタの特性を確認しておく。

測定対象は、2012M(0805)サイズの100nH、220nH、270nH。それと、1608M(0603)サイズの100nH、270nH、470nH。

道具はNanoVNA-H4と自作の測定アダプタ。このアダプタなので、高い方の周波数ではあまりあてにはならないだろうけど、参考ということで。本当はこの簡易アダプタではなくて、もっと高い周波数まで使える(はず)のタイプ3を使おうと思ったのだけど、あるはずのところに見当たらなくて…。どこかにあるはずなんだけど。まぁ、タイプ3なら基板はたくさんあるのでいつでも作れるが。

また、NanoVNA-H4ではなくてLiteVNA 64を使おうと思ったのだけど、USBでの接続が非常に不安定(すぐに切れる)で諦めざるを得なかった。ファームウェアを更新してみたけどダメ。そう言えば、LiteVNAはPCに接続して使ったことはあまりなかったかもしれない。

では、以下、測定結果。測定項目はインダクタンスと、 R+jX形式のインピーダンス。

2012M(0805)サイズ

100nH

インダクタンスの値がまぁまぁなのは200MHzくらいまで。自己共振を起こすのは450MHzあたり。どこまであてになるかは上に書いたとおり疑問ではあるが。

220nH

インダクタンスがまともな上限は150MHzあたりか?

270nH

220nHと比べてかなり特性が違うようだけど、メーカも違うようなので、別の特性のものなのだろう。いずれにしても、公称値通りに使えそうなのは70MHzくらいまでか?

1608M(0603)サイズ

100nH

サイズが小さい分、特性的には有利なようで、2012Mのものよりもよい。

270nH

このサイズなら270nHでも200MHzくらいまで使えそう。

470nH

このサイズでも、さすがに470nHでは厳しい。インダクタンスがまぁまぁの上限は70MHzくらいか?


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