【無線工学】電子回路

FET相互コンダクタンス

$$g_m=\frac{\Delta I_D}{\Delta V_{GS}}$$

FET ソース接地増幅回路

$$V_{DS}=g_mV_{GS}\times R_L$$
$$増幅度 A=\frac{V_{DS}}{V_{GS}}=g_m\times R_L$$

信号対雑音比（雑音指数）

$$NF=\frac{S_i/N_i}{S_o/N_o}$$

負帰還増幅回路

負帰還回路が増幅回路に対して、

• 並列接続: インピーダンス減少
• 直列接続: インピーダンス増加

オペアンプによる負帰還増幅回路

A: 裸の増幅率
β: 負帰還率

$$負帰還時の増幅度 A_f=\frac{A}{1+A\beta}$$

時定数

LR回路: L/R
CR回路: CR

RC積分回路

$$v=E(1-e^{-\frac{1}{CR}t})$$

トランジスタの特性

α遮断周波数

ベース接地の高周波特性。電流増幅率($I_C$と$I_E$の比)$\alpha$が低周波のときより-3[dB]（$=1/\sqrt{2}$)になる周波数。

トランジション周波数

エミッタ接地の高周波特性。電流増幅率$\beta$の絶対値が1になる周波数。

コレクタ遮断電流

エミッタを開放し、コレクタ・ベース間に逆方向電圧を加えた際にコレクタに流れる電流。