NanoVNAで抵抗の高周波特性を測る ~ やり直し編

コイルコンデンサに続いて、抵抗の測定もやり直した。

前回のものはこちら。

※ここでの測定結果は正しくない。被測定物のリード線の影響が大きいことがわかった。ということで、測定をやり直した。 以下、検討(というか...

このときの測定では、高い周波数ではL/C測定アダプタの影響が大きすぎたので、今回、改めて。

ものは、AliExpressで調達した100Ω、1%。

リード線の影響をできるだけ排除するため、切り詰めた。

DE-5000での測定結果(1kHz)。

うーん、1%から逸脱しているなぁ…。NanoVNAでの測定結果とは異なっているけど、NanoVNAのキャリブレーションに使っている抵抗(ダミーロード)の誤差があるだろうから、値はDE-5000の方が正しいと思う(もちろん、DE-5000もキャリブレーションを行ってから測定した)。

もう一つ、秋月の小型1/4Wのもの。

こちらの方がよい。小型であることが有利に働いているのかな。

誤差も1%の範囲にちゃんと収まっている。

ついでに、リード線の影響を調べる実験。使った抵抗は同じだけど、そえぞれ2本パラで50Ωにしたもの。

リード線の長さはだいたい同じ。

リード線を切り詰めたときのものとは様子が全然違う。

グラフの薄い線は一つ目のもの(比較用に表示)。高い周波数ではリード線が持つインダクタンスがいかに影響するかがわかる。リード線を切り詰めたものでは小型の方が圧倒的に良い結果だったけど、それよりもリード線や配線パターンの引回しによる影響の方が大きい。

「ソフトウェアは思った通りには動かない。書いた通りに動く。」などと言われるが、「ハードウェア、特に高周波ものは作った通りにすら動かない」だな…。細かことをあまり気にせずに自作を楽しめるのは145MHz帯のものまでか?430MHz帯だとリード部品はまずダメで、パターンの引回しにも相当な注意・計算が必要になりそう。

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