【無線工学】電子回路

FET相互コンダクタンス

$$g_m=\frac{\Delta I_D}{\Delta V_{GS}}$$

FET ソース接地増幅回路

$$V_{DS}=g_mV_{GS}\times R_L$$
$$増幅度 A=\frac{V_{DS}}{V_{GS}}=g_m\times R_L$$

信号対雑音比(雑音指数)

$$NF=\frac{S_i/N_i}{S_o/N_o}$$

負帰還増幅回路

負帰還回路が増幅回路に対して、

  • 並列接続: インピーダンス減少
  • 直列接続: インピーダンス増加

オペアンプによる負帰還増幅回路

A: 裸の増幅率
β: 負帰還率

$$負帰還時の増幅度 A_f=\frac{A}{1+A\beta}$$

時定数

LR回路: L/R
CR回路: CR

RC積分回路

$$v=E(1-e^{-\frac{1}{CR}t})$$

トランジスタの特性

α遮断周波数
ベース接地の高周波特性。電流増幅率(\(I_C\)と\(I_E\)の比)\(\alpha\)が低周波のときより-3[dB](\(=1/\sqrt{2}\))になる周波数。
トランジション周波数
エミッタ接地の高周波特性。電流増幅率\(\beta\)の絶対値が1になる周波数。
コレクタ遮断電流
エミッタを開放し、コレクタ・ベース間に逆方向電圧を加えた際にコレクタに流れる電流。
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コメント

  1. JH8JNF/1 より:

    回路系は自作されたり基板制作されているのでお得意と思いますので釈迦に説法かもしれませんが…

    トランジスタ/FETはそれぞれの一番簡単な等価回路(交流等価回路)を書いてゲイン計算ができれば大体大丈夫と思います。
    スイッチング動作については定性的に「ここがあがるとここが下がって」くらいでも、デジタル系の問題で回路が出てくるところにも対応ができるはずです。

    オペアンプはバーチャルショートか、オペアンプゲインをAとおいてこれを∞にしたときの極限からNFB時のゲインを求められるようにしておくといいかもしれません。

    • jh4vaj より:

      えーと、昔々、この辺は勉強したはずなんです。はずなんですが…^^;