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LPF 144 / 430MHzの実験 ~ 基板を作った編

こないだのLPFの実験の続き。

LPF 144/430MHzの実験
144MHz帯用と430MHz帯用のLPFの実験。 まず、シミュレーション。 LとCは実測データを基に組み立てる。 NanoVNAを使って測定。 まず、144MHz帯用。 これはなかなかいい感じ。事前にコイルとコンデンサを測定しておいたのが...

144MHz帯用

今回は、基板を起こしてみた。

シミュレーションデータ再掲。

実際に組んだものは、このシミュレーションの一番上「Out7」に相当する。

実測結果。

減衰特性はまずまずのように思うけど、VSWRがやや高め(144MH帯バンド内で1.3弱程度)。計算値(Out5)よりもLの値が小さいからかな?そうは言っても、Lをピッタリに持っていくのは難しいので、Cをちょっといじって実験してみる。

入出力側のC(シミュレーション回路のC32とC34)を27pFに増やす。

VSWRはかえって悪化。

では、逆に18pFに減らしてみる。

これはもっとひどい。減衰特性も悪くなっている。ここまでひどいって、もしかしたら、測定をミスったかも(今になって気づいたので、もはや回路はバラしたけど)。

一旦、22pFに戻す。

だいたい最初の状態に戻ったけれど、こっちの方が少しいい。Cのバラつきか?グラフの薄い色(リファレンス)が最初のもの。

今度は、中間のC(C33)を33pFに減らしてみる。

減衰カーブは少し上にずれたが、VSWRはこれまでで一番良い(バンド内1.15程度)。ちなみに、前回のユニバーサル基板での実験結果はこの定数。なお、Lを変形させると影響が結構ある(上の測定は良い状態に追い込んだ結果)。

減衰カーブだけ見れば最初のものでいいんじゃないかと思うけど、VSWRまで見ると最後のものを採用するのが良さそう。

430MHz帯用

続いて、430MHz帯用。

Lは実測で20nH程度だったので、その値を使ってシミュレーションを再実行。Out6がそれ。Out4は計算値(CはE24系列に丸めているけど)。

基板は144MHz帯用のものと共用。

下が430MHz帯用。

実測結果。

VSWRがちょっと高い。バンド内で1.3超え。もうちょっとどうにかしたい。先の144MHz帯用のもので入出力側のCをいじっても良い方向には行かなかったので、センタのCを変えてみる。

18pFに増やしてみる。

減衰特性もVSWRも悪化。なお、右下のVSWRのグラフは最初のものとは周波数範囲を変えてあることに注意(薄い色のグラフが最初のもの)。

今度は、12pFに減らしてみる。

残念ながら、これでも悪化する方向。

結局、最初のものが良さそうという結論。Lが計算値の24nHに対して20nHしかないからかな。20%近くも違えば影響は小さくはないだろうと思う。何とも難しい。

ケース

回路基板でケースにもなるようにしてみたけど、デカすぎて不細工。

作り直すかなぁ…。

なお、このLPFは、JG3PUPさんのブログに触発されたもの。

自作
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